Перевод: с английского на русский

с русского на английский

ion-implanted structure

См. также в других словарях:

  • ion-implanted MOS structure — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • ion-implanted MOS — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Ion implantation — is a materials engineering process by which ions of a material can be implanted into another solid, thereby changing the physical properties of the solid. Ion implantation is used in semiconductor device fabrication and in metal finishing, as… …   Wikipedia

  • Vertical-cavity surface-emitting laser — The vertical cavity surface emitting laser (VCSEL; [v ɪxl] ) is a type of semiconductor laser diode with laser beam emission perpendicular from the top surface, contrary to conventional edge emitting semiconductor lasers (also in plane lasers)… …   Wikipedia

  • circuit MOS à implantation ionique — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • ionenimplantierter MOS-Schaltkreis — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • jonais implantuotas MOP darinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à implantation ionique, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • ионно-имплантированная МОП-структура — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Avalanche photodiode — Avalanche photodiodes (APDs) are photodetectors that can be regarded as the semiconductor analog to photomultipliers. By applying a high reverse bias voltage (typically 100 200 V in silicon), APDs show an internal current gain effect (around 100) …   Wikipedia

  • Fotodiodo de avalancha — Los fotodiodos de avalancha (APDs) son fotodetectores que se pueden considerar como el equivalente semiconductor de los fotomultiplicadores. Aplicando un alto voltaje en inversa (típicamente 100 200 V en silicio), los APD muestran un efecto… …   Wikipedia Español

  • Лавинный фотодиод — Структура лавинного фотодиода на основе кремния: 1  омические контакты, 2  антиотражающее покрытие Лавинные фотодиоды (ЛФД; англ. avalanche photodiode  APD)  высокочувствительные полупроводниковые приборы, преобразующие… …   Википедия

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»